基于210mm大尺寸硅片、應用了創新的無損切割技術和高密度封裝技術
基于210mm大尺寸硅片、應用了創新的無損切割技術和高密度封裝技術，低電壓，高組串功率，單串組件功率提升40%，最高功率可突破550W，效率高達21.2%.
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